Các nghiên cứu điển hình thành công về công nghệ đo lường cách ly quang học-chính những ví dụ mà bạn quan tâm-đã thực sự chứng minh khả năng vượt trội của công nghệ này trong việc "tái tạo chính xác các tín hiệu xác thực" ngay cả trong môi trường điện từ phức tạp. Tôi hiểu sự thất vọng khi bị cản trở bởi tiếng ồn và phải đối mặt với những kết quả kiểm tra có vẻ không hợp lý; những trường hợp được triển khai,-trong thế giới thực này đóng vai trò là điểm tham chiếu quan trọng để vượt qua những trở ngại đo lường như vậy.
Tận dụng Tỷ lệ loại bỏ chế độ chung (CMRR) đặc biệt cao và các thông số ký sinh thấp, công nghệ đo lường cách ly quang học đã được áp dụng thành công trong các kịch bản-tần số cao,-điện áp cao-chẳng hạn như bộ điều khiển động cơ xe sử dụng năng lượng mới, bộ nguồn DC công suất-cao và thử nghiệm động MOSFET silicon cacbua (SiC). Nó giải quyết thách thức dai dẳng mà các đầu dò vi sai truyền thống gặp phải-cụ thể là dao động và biến dạng tín hiệu do-nhiễu chế độ thông thường-gây ra, từ đó cho phép nắm bắt chính xác các quá trình chuyển đổi ở cấp độ nano giây.
I. Bộ điều khiển động cơ phương tiện sử dụng năng lượng mới: Đo lường chính xác VGS bên-cao trong quá trình kiểm tra xung-kép
Trong bối cảnh thử nghiệm xung-kép cho bộ điều khiển động cơ phương tiện sử dụng năng lượng mới, thách thức cốt lõi nằm ở việc đo VSS (điện áp nguồn-cổng) của MOSFET phía-cao trong mạch cầu. Do tốc độ chuyển đổi cực nhanh (xảy ra trong phạm vi nano giây), các đầu dò vi sai truyền thống thường biểu hiện dao động tín hiệu nghiêm trọng trong điều kiện dv/dt cao do nhiễu chế độ-chung gây ra, khiến các kỹ sư chẩn đoán nhầm những hiện tượng này là lỗi thiết kế mạch thực tế.
Giải pháp: Sử dụng đầu dò cách ly quang học Micsig MOIP1000P (có CMRR lên tới 180 dB) để đo.
Kết quả: Đã thu được thành công dạng sóng VSS rõ ràng,{0}}không bị biến dạng cho MOSFET phía-cao. Các dạng sóng này phù hợp cao với các phân tích lý thuyết, cho phép các kỹ sư đánh giá chính xác tổn thất chuyển mạch và hiệu suất mạch, từ đó tránh được những sửa đổi mạch không cần thiết và không hiệu quả.
Phản hồi của Khách hàng: Trước đây, vấn đề dao động vẫn chưa được giải quyết mặc dù đã nhiều lần thử sử dụng đầu dò vi sai; sau khi chuyển sang đầu dò cách ly quang học, "kết quả rất tuyệt vời", trực tiếp giải quyết trở ngại lớn gặp phải trong giai đoạn R&D.
II. Nguồn cấp điện được điều chỉnh bằng DC có công suất cao-: Đảm bảo tính toàn vẹn của tín hiệu trong quá trình phát triển thiết bị SiC
Một nhà sản xuất bộ nguồn lớn, trong khi phát triển các sản phẩm năng lượng dựa trên công nghệ Silicon Carbide (SiC), đã sử dụng các đầu dò vi sai truyền thống để đo VSS của MOSFET phía{0}}cao. Tại thời điểm chuyển đổi chính xác, tín hiệu biểu hiện dao động nghiêm trọng, khiến các kỹ sư không thể xác định liệu sự bất thường xuất phát từ lỗi thiết kế mạch hay lỗi đo lường.
Giải pháp: Triển khai kết hợp đầu dò cách ly quang Micsig MOIP1000P kết hợp với máy hiện sóng MHO3-5004 có độ phân giải cao.
Kết quả: Các dạng sóng đo được chứng minh rằng tín hiệu VSS của MOSFET phía cao -mượt mà và không bị dao động, phản ánh chính xác các đặc tính chuyển mạch thực sự của thiết bị và cung cấp cơ sở đáng tin cậy cho việc tối ưu hóa thiết kế nguồn điện.
Ưu điểm kỹ thuật: CMRR 180 dB của đầu dò cách ly quang duy trì hiệu suất vượt quá 100 dB ngay cả trong dải tần 1 GHz, triệt tiêu hiệu quả nhiễu EMI tần số cao.
III. Thử nghiệm động MOSFET silicon cacbua (SiC): Đặc tính chính xác của đặc tính chuyển đổi tỷ lệ Nano giây{1}}
Trong quá trình thử nghiệm động của CREE C3M0075120K SiC MOSFET, các đầu dò truyền thống-có đặc điểm là điện dung ký sinh cao (10–50 pF)- đưa ra dòng điện dịch chuyển làm ảnh hưởng đến độ trung thực của tín hiệu dòng điện và gây ra dao động ở dạng sóng điện áp.
Giải pháp: Sử dụng đầu dò cách ly quang Micsig MOIP200P (có băng thông 200 MHz, điện dung ký sinh chỉ 1 pF và CMRR 180 dB) để đo điện áp nguồn cổng-(Vgs) và điện áp nguồn cống-(Vds).
Kết quả:
Các dạng sóng Vss và Vds đo được không bị biến dạng và phù hợp chặt chẽ với kết quả mô phỏng.
Điện dung ký sinh cực thấp 1 pF hầu như không gây ra sai số dòng điện bổ sung, do đó cung cấp nền tảng dữ liệu đáng tin cậy để tính toán tổn thất chuyển mạch.
Giá trị trường hợp: Công nghệ này đã nổi lên như một công nghệ hỗ trợ quan trọng cho việc nâng cấp công nghiệp của ngành bán dẫn có khoảng cách băng thông rộng, kết nối hiệu quả toàn bộ chuỗi giá trị từ "thiết kế chip" đến "đóng gói" đến "ứng dụng hệ thống".
